Tradicionalmente, Carburde sili Los fabricantes lo utilizan para aplicaciones de alta temperatura, tales como rod, partes mecánicas, frenos de automóviles, e incluso moldes. Carburde sili Ofrece las siguientes ventajas en electrónica y semiconductores:
- alta conductividad térmica de 120-270 W/mK - bajo coeficiente de expansión térmica de SiC (10 − -6/C) - alta densidad de corriente máxima. Estas propiedades hacen del SiC un excelente material de SiC, especialmente comparado con el SiC. Debido a sus propiedades materiales, Carburde sili Ofrece ventajas significativas en alta potencia, alta corriente y alta conductividad térmica.
En los últimos años, Carburde sili Ha sido ampliamente utilizado en la industria de semiconductores para dispositivos de alta potencia, MOSFETs, diodos Schottky, módulos de potencia y otras aplicaciones. Aunque más caro que los MOSFETs convencionales de silicio de 900V, Carburde sili Puede alcanzar 10 veces la tensión máxima.
Las pérdidas de conmutación también son bajas, y puede soportar frecuencias de operación más altas, lo que permite a SiC alcanzar la eficiencia de corriente, especialmente por encima de 600V. La adopción de métodos de proceso adecuados puede reducir las pérdidas Carburde sili Los dispositivos en casi un 50%, reducen el volumen del sistema en un 300% y reducen los costos totales del sistema en un 20%. La reducción de la Carburde sili El tamaño del sistema ha ampliado significativamente sus aplicaciones en términos de ahorro de masa y espacio.
Spanish
