Sobre la Carburde sili Los semiconductores de potencia (SiC) se están acelerando, desde vehículos eléctricos a fotovoltaicos solares. Pero ¿De dónde viene este material? ¿Qué tiene de especial? Porqué hizo Carburde siliUtilizado como base para los detectores de radio hace más de un siglo, ¿Toma tanto tiempo para que la industria de semiconductores se desarrolle?
A principios del siglo XX, los experimentadores descubrieron que los cristales de diversos materiales, como el germanio, podían producir un "flujo asimétrico de corriente", o rectificación, un fenómeno que se aplicó a las radios de cristal. Cuando se intenta utilizar Carburde siliSe produjo un comportamiento inusual. Los cristales emitluz amarilla, a veces verde, naranja y azul. Los transistfueron descubiertos hace 40 años.
Aunque el SiC fue rápidamente reemplazado como un diodo emisde luz (LED) por arsende galiy nitde gali, que ofrecen 10-100 veces mayor eficiencia luminosa, sigue llamando la atención en el campo de la electrónica como un material. Su conductividad térmica es 3,5 veces mayor que la del sili, y el dopaje pesado puede lograr una conductividad aún mayor mientras se mantiene una alta ruptura del campo eléctrico. Mecánicamente, es muy rígido e inerte, con un coeficiente de expansión térmica extremadamente bajo y una clasificación de alta temperatura. El SiC no se fusion— se sublima alrededor de 2700°C.
En sus primeros días, Carburde sili Fue considerado el dispositivo semiconductor ideal. ¿Qué obstáculos dificultaron su desarrollo en comparación con el silicio? Los principales defectos presentes en los cristales de SiC fueron eliminados: dislocaciones de borde, varios tipos de dislocde tornillo, defectos triangulares y dislocdel plano basal. Cuanto más pequeño es el cristal, peor es su anti-resistencia, por lo que estos componentes esencialmente inutilizables.
También hubo problemas con el uso de SiC y SiO2 interconecta para crear dispositivos populares MOSFET y IGBT. Sin embargo, con los avances tecnológicos, la calidad continuó mejorando, y las obleas de 6 pulgadas ahora ofrecen una calidad aceptable. Un avance (también conocido como nitridación o recode de óxido de nitrur) permitió el crecimiento estable de SiC en SiC.
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