Silikon karbit, juga dikenal sebagai SiC, adalah substrat semikonduktor yang terdiri dari silikon murni dan karbon murni. Nitrogen dan fosforus dicampur dalam SiC untuk membentuk semikonduktor tipe n, atau dengan berilium, boron, aluminium, atau galium untuk membentuk semikonduktor p-tipe. sementara Silikon karbit Tersedia dalam banyak varietas dan kemurnian tinggi, semikonduktor Silikon karbit Hanya tersedia dalam beberapa dekade terakhir.
Sebuah metode yang relatif sederhana untuk membuat Silikon karbit Adalah melelehkan pasir silika dan karbon (seperti batu bara) pada suhu 2500 celcius. Gelap dan biasa Silikon karbit Sering mengandung zat besi dan karbon, tetapi murni Silikon karbit Tidak berwarna ketika disublimasi pada 2700 celcius. Setelah pemanasan, kristal - kristal itu diencerkan pada grafit dengan suhu yang lebih rendah.
Metode yang sederhana: dalam proses ini, sebuah wadah granit dipanaskan dengan induksi untuk menghasilkan sublidik suhu tinggi Silikon karbit Bubuk. Sebuah batang grafit kemudian dimasukkan ke dalam campuran gas dengan suhu rendah, di mana murni Silikon karbit Berakumulasi secara alami menjadi kristal.
Produsen bahan kimia deposisi: produsen juga dapat tumbuh kubik dari deposisi penguapan kimia, suatu metode yang umum digunakan dalam proses sintesis berbasis karbon dan industri semikonduktor. Campuran khusus gas kimia diperkenalkan ke dalam lingkungan vakum dan dikombinasikan sebelum disimpan ke sub-lapisan.
Kedua metode produksi Silikon karbit Wafer membutuhkan energi, peralatan, dan keahlian yang signifikan untuk berhasil menghasilkannya. Untuk informasi lebih lanjut, silakan kunjungi WWW. Qrf-alloys. Com.
Indonesian
